RGSX5TS65EGC11

RGSX5TS65EGC11 مكوّن إلكتروني من ROHM Semiconductor ضمن فئة IGBTs الفردية. المواصفات: IGBT TRENCH FS 650V 114A TO-247N. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من العلامة والمواصفات ثم طل

ما المكونات المتوفرة في المخزون؟

يشمل مخزون شنتشن مجموعة التكنولوجيا المحدودة الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.

كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟

افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.

هل تدعمون مطابقة BOM؟

نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.

Part Number:
RGSX5TS65EGC11
Manufacturer:
ROHM Semiconductor
Other Part Numbers:
-
Description:
IGBT TRENCH FS 650V 114A TO-247N
Datasheet:
-

Product Attributes

نوع التثبيت Through Hole
حالة القطعة Active
الحزمة / العلبة TO-247-3
输入类型为阿拉伯文 Standard
درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 114 A
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
نوع IGBT Trench Field Stop
تيار المجمع النبضي (Icm) 225 A
شحنة البوابة 79 nC
Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 75A
شرط الاختبار 400V, 75A, 10Ohm, 15V
المورد الجهاز الحزمة TO-247N
الطاقة - الحد الأقصى 404 W
Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 43ns/113ns
طاقة التبديل 3.44mJ (on), 1.9mJ (off)
وقت الاسترداد العكسي (trr) 116 ns