RGS80TS65DHRC11

RGS80TS65DHRC11 مكوّن إلكتروني من ROHM Semiconductor ضمن فئة IGBTs الفردية. المواصفات: IGBT TRENCH FS 650V 73A TO-247N. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من العلامة والمواصفات ثم طل

ما المكونات المتوفرة في المخزون؟

يشمل مخزون شنتشن مجموعة التكنولوجيا المحدودة الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.

كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟

افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.

هل تدعمون مطابقة BOM؟

نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.

Part Number:
RGS80TS65DHRC11
Manufacturer:
ROHM Semiconductor
Other Part Numbers:
-
Description:
IGBT TRENCH FS 650V 73A TO-247N
Datasheet:
-

Product Attributes

نوع التثبيت Through Hole
حالة القطعة Active
الحزمة / العلبة TO-247-3
输入类型为阿拉伯文 Standard
تيار المجمع النبضي (Icm) 120 A
درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
شحنة البوابة 48 nC
نوع IGBT Trench Field Stop
الطاقة - الحد الأقصى 272 W
Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A
شرط الاختبار 400V, 40A, 10Ohm, 15V
وقت الاسترداد العكسي (trr) 103 ns
المورد الجهاز الحزمة TO-247N
تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 73 A
طاقة التبديل 1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 37ns/112ns