NXH80T120L3Q0S3G

NXH80T120L3Q0S3G مكوّن إلكتروني من onsemi ضمن فئة وحدات IGBT. المواصفات: PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من العلامة والمواصفات ثم طلب السعر.

ما المكونات المتوفرة في المخزون؟

يشمل مخزون شنتشن مجموعة التكنولوجيا المحدودة الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.

كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟

افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.

هل تدعمون مطابقة BOM؟

نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.

Part Number:
NXH80T120L3Q0S3G
Manufacturer:
onsemi
Other Part Numbers:
-
Description:
PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
Datasheet:
PDF

Product Attributes

حالة القطعة Active
نوع التثبيت Chassis Mount
الحزمة / العلبة Module
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
تكوين Half Bridge
المدخلات Standard
تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 75 A
درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
نوع IGBT Trench Field Stop
تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 300 µA
Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 80A
المورد الجهاز الحزمة 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
الطاقة - الحد الأقصى 188 W
السعة المدخلة (Cies) عند Vce 18.15 nF @ 20 V