NXH800H120L7QDSG

NXH800H120L7QDSG مكوّن إلكتروني من onsemi ضمن فئة وحدات IGBT. المواصفات: 1200V 800A QDUAL3. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من العلامة والمواصفات ثم طلب السعر.

ما المكونات المتوفرة في المخزون؟

يشمل مخزون شنتشن مجموعة التكنولوجيا المحدودة الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.

كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟

افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.

هل تدعمون مطابقة BOM؟

نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.

Part Number:
NXH800H120L7QDSG
Manufacturer:
onsemi
Other Part Numbers:
-
Description:
1200V 800A QDUAL3
Datasheet:
PDF

Product Attributes

حالة القطعة Active
نوع التثبيت Chassis Mount
الحزمة / العلبة Module
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
تكوين Half Bridge
المدخلات Standard
مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) No
درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 100 µA
نوع IGBT Trench Field Stop
تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 800 A
Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 800A
السعة المدخلة (Cies) عند Vce 94300 pF @ 25 V
المورد الجهاز الحزمة 11-PIM (152x62.15)