NXH75M65L4Q1SG

NXH75M65L4Q1SG مكوّن إلكتروني من onsemi ضمن فئة وحدات IGBT. المواصفات: Q1PACK 75A 650V. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من العلامة والمواصفات ثم طلب السعر.

ما المكونات المتوفرة في المخزون؟

يشمل مخزون شنتشن مجموعة التكنولوجيا المحدودة الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.

كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟

افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.

هل تدعمون مطابقة BOM؟

نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.

Part Number:
NXH75M65L4Q1SG
Manufacturer:
onsemi
Other Part Numbers:
-
Description:
Q1PACK 75A 650V
Datasheet:
PDF

Product Attributes

حالة القطعة Active
نوع التثبيت Chassis Mount
الحزمة / العلبة Module
تكوين Half Bridge
المدخلات Standard
درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
نوع IGBT Trench Field Stop
تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 300 µA
تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 59 A
الطاقة - الحد الأقصى 86 W
Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.22V @ 15V, 75A
المورد الجهاز الحزمة 56-PIM (93x47)
السعة المدخلة (Cies) عند Vce 5.665 nF @ 30 V