NXH600B100H4Q2F2S1G

NXH600B100H4Q2F2S1G مكوّن إلكتروني من onsemi ضمن فئة وحدات IGBT. المواصفات: FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من العلامة والمواصفات ثم طلب السعر.

ما المكونات المتوفرة في المخزون؟

يشمل مخزون شنتشن مجموعة التكنولوجيا المحدودة الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.

كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟

افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.

هل تدعمون مطابقة BOM؟

نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.

Part Number:
NXH600B100H4Q2F2S1G
Manufacturer:
onsemi
Other Part Numbers:
-
Description:
FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH
Datasheet:
PDF

Product Attributes

حالة القطعة Active
نوع التثبيت Chassis Mount
الحزمة / العلبة Module
المدخلات Standard
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1000 V
درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
نوع IGBT Trench Field Stop
تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 20 µA
تكوين Three Level Inverter
Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
المورد الجهاز الحزمة 56-PIM (93x47)
السعة المدخلة (Cies) عند Vce 12687.7 pF @ 20 V
تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 173 A
الطاقة - الحد الأقصى 422 W