NXH50M65L4Q1SG
NXH50M65L4Q1SG مكوّن إلكتروني من onsemi ضمن فئة وحدات IGBT. المواصفات: Q1PACK 50A 650V. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من العلامة والمواصفات ثم طلب السعر.
ما المكونات المتوفرة في المخزون؟
يشمل مخزون شنتشن مجموعة التكنولوجيا المحدودة الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.
كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟
افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.
هل تدعمون مطابقة BOM؟
نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.
Product Attributes
| حالة القطعة | Active |
|---|---|
| نوع التثبيت | Chassis Mount |
| الحزمة / العلبة | Module |
| المدخلات | Standard |
| تيار المجمع (Ic) (الأقصى) | 48 A |
| مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) | Yes |
| درجة حرارة التشغيل | 175°C (TJ) |
| الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) | 650 V |
| نوع IGBT | Trench Field Stop |
| تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) | 300 µA |
| تكوين | Full Bridge |
| الطاقة - الحد الأقصى | 86 W |
| المورد الجهاز الحزمة | 56-PIM (93x47) |
| Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic | 2.22V @ 15V, 50A |
| السعة المدخلة (Cies) عند Vce | 3.137 nF @ 20 V |