NXH450B100H4Q2F2PG-R
NXH450B100H4Q2F2PG-R مكوّن إلكتروني من onsemi ضمن فئة وحدات IGBT. المواصفات: 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WI. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من العلامة والمواصفات ثم طلب السعر.
ما المكونات المتوفرة في المخزون؟
يشمل مخزون شنتشن مجموعة التكنولوجيا المحدودة الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.
كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟
افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.
هل تدعمون مطابقة BOM؟
نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.
Product Attributes
| حالة القطعة | Obsolete |
|---|---|
| نوع التثبيت | Chassis Mount |
| الحزمة / العلبة | Module |
| نوع IGBT | - |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| المدخلات | Standard |
| الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) | 1000 V |
| تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) | 600 µA |
| مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) | Yes |
| تيار المجمع (Ic) (الأقصى) | 101 A |
| تكوين | Half Bridge Inverter |
| Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 150A |
| الطاقة - الحد الأقصى | 234 W |
| السعة المدخلة (Cies) عند Vce | 9.342 nF @ 20 V |
| المورد الجهاز الحزمة | 56-PIM (93x47) |