NXH35C120L2C2ESG

NXH35C120L2C2ESG مكوّن إلكتروني من onsemi ضمن فئة وحدات IGBT. المواصفات: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من العلامة والمواصفات ثم طلب السعر.

ما المكونات المتوفرة في المخزون؟

يشمل مخزون شنتشن مجموعة التكنولوجيا المحدودة الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.

كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟

افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.

هل تدعمون مطابقة BOM؟

نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.

Part Number:
NXH35C120L2C2ESG
Manufacturer:
onsemi
Other Part Numbers:
-
Description:
IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Datasheet:
-

Product Attributes

حالة القطعة Obsolete
نوع التثبيت Through Hole
نوع IGBT -
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 250 µA
تكوين Three Phase Inverter with Brake
المدخلات Three Phase Bridge Rectifier
مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 35 A
الطاقة - الحد الأقصى 20 mW
Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 35A
الحزمة / العلبة 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
المورد الجهاز الحزمة 26-DIP
السعة المدخلة (Cies) عند Vce 8.333 nF @ 20 V