NXH200T120H3Q2F2SG

NXH200T120H3Q2F2SG مكوّن إلكتروني من onsemi ضمن فئة وحدات IGBT. المواصفات: 80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من العلامة والمواصفات ثم طلب السعر.

ما المكونات المتوفرة في المخزون؟

يشمل مخزون شنتشن مجموعة التكنولوجيا المحدودة الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.

كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟

افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.

هل تدعمون مطابقة BOM؟

نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.

Part Number:
NXH200T120H3Q2F2SG
Manufacturer:
onsemi
Other Part Numbers:
-
Description:
80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE
Datasheet:
PDF

Product Attributes

حالة القطعة Active
نوع التثبيت Chassis Mount
الحزمة / العلبة Module
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
تكوين Half Bridge
المدخلات Standard
مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) No
درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 500 µA
نوع IGBT Trench Field Stop
تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 330 A
Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
المورد الجهاز الحزمة 56-PIM/Q2PACK (93x47)
الطاقة - الحد الأقصى 679 W
السعة المدخلة (Cies) عند Vce 35.615 nF @ 25 V