NXH100B120H3Q0SG

NXH100B120H3Q0SG مكوّن إلكتروني من onsemi ضمن فئة وحدات IGBT. المواصفات: PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من العلامة والمواصفات ثم طلب السعر.

ما المكونات المتوفرة في المخزون؟

يشمل مخزون شنتشن مجموعة التكنولوجيا المحدودة الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.

كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟

افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.

هل تدعمون مطابقة BOM؟

نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.

Part Number:
NXH100B120H3Q0SG
Manufacturer:
onsemi
Other Part Numbers:
-
Description:
PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1
Datasheet:
PDF

Product Attributes

حالة القطعة Active
نوع التثبيت Chassis Mount
الحزمة / العلبة Module
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
المدخلات Standard
مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) No
Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 50A
تكوين 2 Independent
تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 200 µA
الطاقة - الحد الأقصى 186 W
نوع IGBT Trench Field Stop
تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 61 A
السعة المدخلة (Cies) عند Vce 9.075 nF @ 20 V
المورد الجهاز الحزمة 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)