MIP50R12E1ATN-BP
Product Attributes
| حالة القطعة | Active |
|---|---|
| نوع التثبيت | Chassis Mount |
| الحزمة / العلبة | Module |
| نوع IGBT | - |
| تيار المجمع (Ic) (الأقصى) | 50 A |
| الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) | 1200 V |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) | 1 mA |
| تكوين | Three Phase Inverter |
| Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 50A |
| المدخلات | Three Phase Bridge Rectifier |
| مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) | Yes |
| الطاقة - الحد الأقصى | 288 W |
| السعة المدخلة (Cies) عند Vce | 2.6 nF @ 25 V |
| المورد الجهاز الحزمة | E1A |