MIP50R12E1ATN-BP
MIP50R12E1ATN-BP مكوّن إلكتروني من MCC (Micro Commercial Components) ضمن فئة وحدات IGBT. المواصفات: IGBT MODULES 1200V 50A, E1A. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من العلامة والمواص
ما المكونات المتوفرة في المخزون؟
يشمل مخزون شنتشن مجموعة التكنولوجيا المحدودة الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.
كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟
افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.
هل تدعمون مطابقة BOM؟
نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.
Product Attributes
| حالة القطعة | Active |
|---|---|
| نوع التثبيت | Chassis Mount |
| الحزمة / العلبة | Module |
| نوع IGBT | - |
| تيار المجمع (Ic) (الأقصى) | 50 A |
| الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) | 1200 V |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) | 1 mA |
| تكوين | Three Phase Inverter |
| Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 50A |
| المدخلات | Three Phase Bridge Rectifier |
| مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) | Yes |
| الطاقة - الحد الأقصى | 288 W |
| السعة المدخلة (Cies) عند Vce | 2.6 nF @ 25 V |
| المورد الجهاز الحزمة | E1A |