MIB30N65AT1Y-TP

MIB30N65AT1Y-TP مكوّن إلكتروني من MCC (Micro Commercial Components) ضمن فئة IGBTs الفردية. المواصفات: IGBT DISCRETE,D2-PAK. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من العلامة والمواصفات ث

ما المكونات المتوفرة في المخزون؟

يشمل مخزون شنتشن مجموعة التكنولوجيا المحدودة الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.

كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟

افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.

هل تدعمون مطابقة BOM؟

نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.

Part Number:
MIB30N65AT1Y-TP
Other Part Numbers:
-
Description:
IGBT DISCRETE,D2-PAK
Datasheet:
PDF

Product Attributes

حالة القطعة Active
نوع التثبيت Surface Mount
الصف -
التأهيل -
تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 40 A
输入类型为阿拉伯文 Standard
الحزمة / العلبة TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
المورد الجهاز الحزمة D2PAK
شحنة البوابة 160 nC
تيار المجمع النبضي (Icm) 60 A
درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
نوع IGBT Trench Field Stop
الطاقة - الحد الأقصى 136 W
وقت الاسترداد العكسي (trr) 114 ns
Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 30A
طاقة التبديل 1.37mJ (on), 0.63mJ (off)
Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 58ns/93ns
شرط الاختبار 400V, 30A, 20Ohm, 15V