GT50JR22(STA1,E,S)
GT50JR22(STA1,E,S) مكوّن إلكتروني من Toshiba Semiconductor and Storage ضمن فئة IGBTs الفردية. المواصفات: IGBT 600V 50A TO-3P. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من العلامة والمواصفات
ما المكونات المتوفرة في المخزون؟
يشمل مخزون شنتشن مجموعة التكنولوجيا المحدودة الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.
كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟
افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.
هل تدعمون مطابقة BOM؟
نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.
Product Attributes
| نوع التثبيت | Through Hole |
|---|---|
| حالة القطعة | Active |
| نوع IGBT | - |
| الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) | 600 V |
| 输入类型为阿拉伯文 | Standard |
| تيار المجمع (Ic) (الأقصى) | 50 A |
| شرط الاختبار | - |
| الحزمة / العلبة | TO-3P-3, SC-65-3 |
| طاقة التبديل | - |
| Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية | - |
| تيار المجمع النبضي (Icm) | 100 A |
| درجة حرارة التشغيل | 175°C (TJ) |
| الطاقة - الحد الأقصى | 230 W |
| المورد الجهاز الحزمة | TO-3P(N) |
| Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |