GT30J65MRB,S1E
GT30J65MRB,S1E مكوّن إلكتروني من Toshiba Semiconductor and Storage ضمن فئة IGBTs الفردية. المواصفات: IGBT 650V 60A TO-3P. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من العلامة والمواصفات ثم
ما المكونات المتوفرة في المخزون؟
يشمل مخزون شنتشن مجموعة التكنولوجيا المحدودة الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.
كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟
افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.
هل تدعمون مطابقة BOM؟
نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.
Product Attributes
| نوع التثبيت | Through Hole |
|---|---|
| حالة القطعة | Active |
| وقت الاسترداد العكسي (trr) | 200 ns |
| نوع IGBT | - |
| 输入类型为阿拉伯文 | Standard |
| الطاقة - الحد الأقصى | 200 W |
| الحزمة / العلبة | TO-3P-3, SC-65-3 |
| تيار المجمع (Ic) (الأقصى) | 60 A |
| Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 30A |
| درجة حرارة التشغيل | 175°C (TJ) |
| شحنة البوابة | 70 nC |
| المورد الجهاز الحزمة | TO-3P(N) |
| الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) | 650 V |
| طاقة التبديل | 1.4mJ (on), 220µJ (off) |
| Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية | 75ns/400ns |
| شرط الاختبار | 400V, 15A, 56Ohm, 15V |