GH50H65DRB2-7AG

GH50H65DRB2-7AG مكوّن إلكتروني من STMicroelectronics ضمن فئة IGBTs الفردية. المواصفات: IGBT. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من العلامة والمواصفات ثم طلب السعر.

ما المكونات المتوفرة في المخزون؟

يشمل مخزون شنتشن مجموعة التكنولوجيا المحدودة الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.

كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟

افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.

هل تدعمون مطابقة BOM؟

نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.

Part Number:
GH50H65DRB2-7AG
Manufacturer:
STMicroelectronics
Other Part Numbers:
-
Description:
IGBT
Datasheet:
PDF

Product Attributes

حالة القطعة Active
نوع التثبيت Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
الصف Automotive
التأهيل AEC-Q101
الحزمة / العلبة TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
输入类型为阿拉伯文 Standard
تيار المجمع النبضي (Icm) 200 A
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
نوع IGBT Trench Field Stop
Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
شرط الاختبار 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
الطاقة - الحد الأقصى 385 W
تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 108 A
المورد الجهاز الحزمة H2PAK-7
شحنة البوابة 152 nC
طاقة التبديل 557µJ (off)
Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية -/117ns
وقت الاسترداد العكسي (trr) 912 ns