APT25GP120BSC15

APT25GP120BSC15 مكوّن إلكتروني من Microchip Technology ضمن فئة IGBTs الفردية. المواصفات: IGBT PT MOS 7 SIC COMBI 1200 V 2. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من العلامة والمواصفات ثم

ما المكونات المتوفرة في المخزون؟

يشمل مخزون شنتشن مجموعة التكنولوجيا المحدودة الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.

كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟

افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.

هل تدعمون مطابقة BOM؟

نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.

Part Number:
APT25GP120BSC15
Manufacturer:
Microchip Technology
Other Part Numbers:
-
Description:
IGBT PT MOS 7 SIC COMBI 1200 V 2
Datasheet:
-

Product Attributes

نوع التثبيت Through Hole
حالة القطعة Active
الصف -
التأهيل -
درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / العلبة TO-247-3
输入类型为阿拉伯文 Standard
Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic -
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
شحنة البوابة 110 nC
المورد الجهاز الحزمة TO-247-3
نوع IGBT PT
شرط الاختبار 600V, 25A, 5Ohm, 15V
تيار المجمع النبضي (Icm) 90 A
تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 69 A
الطاقة - الحد الأقصى 417 W
Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 12ns/70ns
طاقة التبديل 560µJ (on), 440µJ (off)